Обзор высокоскоростной памяти (HBM)

High Bandwidth Memory

GDDR5 давно зарекомендовал себя как DRAM для высокопроизводительной графики и в настоящее время используется во всех современных графических картах высокого и среднего диапазона, а также в PlayStation 4. Однако, поскольку требования к пропускной способности GDDR5 продолжают расти, возрастают и требования к энергопотреблению.

Поскольку мощность графической обработки по своей природе ограничена, подача большего количества энергии в память означает меньшее количество доступных ватт для GPU в любой среде, а GDDR5 сейчас приближается к той стадии, когда мощность, необходимая для питания пропускной способности памяти, требуемой современным GPU, настолько велика, что ее не хватает для самого GPU, что приводит к появлению плоской линии производительности. Это не новое явление; оно предсказуемо, и AMD и ее партнеры работают над решением уже около семи лет. Чтобы узнать что такое тип памяти gddr5 и зачем она нужна посетите блог reg.ru.

GDDR5 также представляет собой ограничение форм-фактора, так как чипы не становятся меньше. В то время как новейшие чипы являются плотными и способными к высокой скорости передачи данных (8 Гбит Samsung сертифицированы для 8 Гбит/сек), их 32-битный интерфейс означает, что вам все еще нужно большое количество устройств, чтобы достичь высокой общей пропускной способности. Это съедает пространство на печатной плате, как и большие VRM-системы, необходимые для работы с потребляемой мощностью.

Эти проблемы обычно решаются за счет сокращения и интеграции компонентов в штамп главного процессора. Тем не менее, это не является реальным вариантом для DRAM. Проще говоря, процессоры и DRAM отличаются друг от друга, что означает, что они построены по-разному и предъявляют разные требования. Логические пластины необходимые для процессоров очень дороги, и процесс сборки также не специализирован для использования DRAM. Скорее всего, это заставит использовать для DRAM ячейки большего размера, а это означает, что для их интеграции необходимо использовать еще больше очень дорогих пластин, и в итоге получится очень большой и очень дорогой чип.

В условиях, когда масштабирование вне чипа и интеграция на кристалле непрактична и слишком дорога в нескольких вариантах, необходима промежуточная позиция. Решением является кремниевый межкомпозитный процессор, который буквально является промежуточным звеном между основным логическим процессором и DRAM умирает. Интерпозер сидит на подложке пакета, поэтому процессор и DRAM теперь будут поставляться в одной упаковке — это гораздо более интегрированное решение, чем раньше, но эти два компонента не находятся на одной и той же матрице.

Тем не менее, между ними существует прямое короткое соединение через межкомпонентный блок, и это гораздо большее сближение позволяет передавать данные через чрезвычайно широкий интерфейс памяти. Это также означает, что можно использовать гораздо более низкую тактовую частоту (так как так много может быть передано за один тактовый цикл), что означает, что мощность на бит снижается, а пропускная способность на ватт увеличивается.

Author: вгорный